中科院等离子体所在国家重大科学工程ＨＴ—７Ｕ装置研制过程中，又开发了一项单元技术—铠装导体四枪专用喷砂机。近日进行的喷砂试验表明，该喷砂机安全达到了使用要求，填补了国内这方面的空白。

    喷砂工艺目的在于对铠装导体表面进行粗糙化处理，以便在真空压力浸渍后提高机械强度。采用单枪结构的喷砂机，每台设备喷砂时需４人人工操作，并停止导体绕制。而这种有独立知识产权的四枪专用喷砂机，有４个喷枪在线操作，可实现在线自动喷砂，完全解除了表面喷砂对导体绕制的影响，工作效率提高了３０％至４０％。不仅能节省人力，而且减少了粉尘污染。预计完成ＨＴ--７Ｕ装置各种导体的绕制后，可节约费用近百万元。